院士：国内集成电路光刻技术落后国外15-20年
（原标题：中科院：光刻技术是国内外集成电路领域差距最大的环节）
集微网消息（文/Oliver），9月17日，2019中国集成电路设计大会在青岛市崂山区正式召开， 中科院院士刘明在演讲中指出，国内的光刻技术与国外技术差距仍为15～20年，是集成电路领域中差距最大的环节。
刘明谈到了国内集成电路的几项基础技术。关于光刻胶技术，刘明表示，我国在EUV光源、多层膜、掩膜、光刻胶、超光滑抛光技术等方面取得了一些研究进展。但总的来说，国内的光刻技术与国外技术差距仍为15～20年，是集成电路领域中差距最大的环节。
在逻辑器件方面，刘明指出，国内在低功耗新原理逻辑器件的机理、模型、材料、结构和集成技术上开展了前瞻性研究。国内优势企业、高校和研究所在硅基逻辑器件的成套先导技术上开展了系统研究，为产业发展提供了技术知识产权的帮助。
另外，刘明还表示，中国在新型存储器前沿和关键技术等方面均开展了系统研究；学术界与产业界合作紧密，开发了RRAM、PRAM和MRAM的大规模集成工艺。
最后，刘明强调，IC的快速发展是信息化的核心和基础，器件持续微缩的More than Moore路线，我国很难实现超越，但这是创新的基础，必须夯实，没有弯道可走。（校对/holly）
本文来源：集微网
责任编辑：王凤枝_NT2541
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