芯片设计IC代理方案设计提供商华瑞微获毅达资本A轮投资

【猎云网北京】4月1日报道

猎云网近日获悉，毅达资本完成对滁州华瑞微电子科技有限公司（以下简称：华瑞微）的A轮投资。

华瑞微电子董事长刘海波表示，本次融资将主要用于第三代化合物半导体生产线项目。该项目已经顺利落户安徽省滁州市南谯经济开发区，也是南京市浦口区与滁州市南谯区签署跨界一体化发展示范区合作框架协议后的首个项目。项目总投资10亿元，主要承担第三代化合物半导体器件的研发及产业化，建设SiC MOSFET生产线。

毅达资本项目负责人钟晔表示，第三代化合物半导体器件主要应用于5G基站、新能源汽车、工业电源等高端领域，相信华瑞微第三代化合物半导体生产线项目的建成投产将助力国内高端功率器件持续健康发展。同时，该项目的顺利实施，将对南京、滁州两地的半导体产业发展产生深远影响，推动两地进一步补齐补强上下游产业链，增强产业核心竞争力，打造未来发展新优势。

华瑞微是一家专注于功率器件研发设计、生产和销售的高科技企业。创始团队拥有在中国龙头晶圆厂近20年的研发设计和生产管理经验，曾参与建设3座晶圆厂，创办过芯片设计公司。其他核心成员数十人，也均有十年以上的晶圆厂或功率器件设计公司的从业经验。

作为一家科技创新类集成电路设计公司，华瑞微一直在自主设计、研发的道路上默默坚守，不断提高自身的科技核心竞争力。公司通过了国家高新技术企业认定，获得“江苏省专精特新（创新类）小巨人企业”“江苏省科技型民营企业”等一系列称号，并且和知名高校共建了联合实验室及研究生实训基地。

SiC是第三代半导体材料，与第一二代半导体材料相比，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势，特别适用于5G射频器件和高电压功率器件。体现在产品上面，就是尺寸降低，开关速度快，功耗相比于传统功率器件大大降低。例如，在某些应用场景下，用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并解决IGBT不能高频工作的缺陷。

目前，华瑞微的产品正在从消费级功率器件向工业级、车规级功率器件迈进。超结MOSFET产品已经稳定向充电桩客户供货，第三代SiC MOSFET已研发成功，小批量试产。

据刘海波介绍，我国虽然是全球最大的功率半导体需求市场，但高端功率器件产品仍然被美、日、欧厂商所主导。在市场需求、政策、资金和技术多因素催化下，功率半导体在可预见的将来有望成为国产替代进度最快的细分领域之一。