鹏城半导体亮相第四届全国宽禁带半导体学术会议

2021年11月7-10日，以芯动力·新征程——宽禁带半导体的机遇与挑战主题的第四届全国宽禁带半导体学术会议，在中国·福建·厦门海悦山庄酒店盛大开幕。来自国内宽禁带半导体领域学术界和产业界的专家学者、科研人员、企业代表等汇集在第四届全国宽禁带半导体学术会议当中。鹏城半导体也受邀参与此次会议，并与学术界和产业界专家、科研人员、企业代表等一同围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，交流宽禁带半导体技术的发展动态，促进相互合作。

会议现场，鹏城半导体还为大家一同分享目前已投入市场的部分半导体设备物理气相沉积（PVD）-磁控溅射仪、电子束、热蒸发镀膜机…、化学气相沉积（CVD）-MOCVD、PECVD、LPCVD…、超高真空系列-分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）等产品，现场受到不少与会者和企业的关注。

关于鹏城半导体     

鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）、北京琨腾科技有限公司以及有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。

公司核心业务是半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造。

公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队和工艺工程师团队，他们具有20多年成套装备设计和生产制造经验。

公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发平台和检测仪器，可以在高起点开展科研工作。公司已具有4000多平米洁净厂房，可开展半导体材料和组件的中试、生产，同时可进行半导体装备的生产和调试。

公司在半导体装备方面已形成多种产品系列，可供用户购买。

业绩展示

完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。

设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。

设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。

设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。

设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。

设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。

设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。

设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。

设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。