巨头们纷纷自研芯片，预计半导体有望突破3879亿美元

近期，半导体领域内大事频发。先是5月26日高通、联芯、建广资产宣布在贵州成立合资手机芯片公司瓴盛，强势进军手机芯片领域。有高通在手机芯片领域的技术做后盾，加上联芯的市场支持能力和建广的资本运作能力，新公司显然底气十足。

至此，高通、大唐、建广和英特尔、展讯、紫光，形成了两大阵营，都是芯片领域的主力选手，理应各自寻找合适的市场定位，一起把集成电路的蛋糕做大，把企业做强，良性竞争，共享成果。联想到近期又看到赵“炮轰”另一知名半导体制造企业，可见其管理下的紫光一定面临着内部和外部的巨大压力，才使得他屡屡急于发声，焦虑之情溢于言表。当然，作为一个企业家，在企业面对困难和多方压力时挺身而出，也是为把企业做好，应当给他多一些理解。

根据财报显示，2016年大唐电信实现营收72.30亿元，同比下降15.96%；净亏损17.76亿元。具体到产品线上，三大主营业务均出现不同幅度的下滑。其中，终端设计毛利率为-2.08%，减少6.47个百分点；软件与应用毛利率为4.48%，减少10.02个百分点。只有集成电路设计毛利率为19.16%，同比增加7.92个百分点。

联芯科技与竞争对手高通合作，向中低端芯片市场发起冲击也在情理之中。2014年之后，联芯科技的手机芯片业务机基本靠小米维持。与小米成立合资公司后，联芯科技的业务基本处于停滞状态，此次与高通合作有望重振其手机芯片业务。

今年3月，继苹果、三星、华为之后，小米也加入了自研芯片的行列，推出澎湃S1芯片。从28nm工艺和整体特性来看，这是一款针对入门级智能手机的芯片，对于高通、联发科而言，中低端芯片市场又多了一个竞争对手。与此同时，IBM日前在日本京都宣布，该公司研究团队在晶体管的制造上取得了巨大的突破--在一个指甲大小的芯片上，从集成200亿个7纳米晶体管飞跃到了300亿个5纳米晶体管。据美国电气和电子工程师协会(IEEE)《光谱》杂志6日报道，这一出色表现有望挽救濒临极限的摩尔定律，使电子元件继续朝着更小、更经济的方向发展。目前最先进的晶体管是finFET，以芯片表面投射的载硫硅片翅片状隆起而命名，这种设计可应用于10纳米甚至7纳米节点芯片。但是，随着芯片尺寸越来越小，电流变得愈发难以关闭，即使使用这种先进的三面"门"结构，仍会发生电子泄漏。

众所周知，东芝目前是全球第二大NAND闪存芯片制造商，该半导体业务的估值至少为180亿美元。东芝正急于为NAND闪存芯片业务找到一位买家，以填补美国核电子公司西屋电气因成本超支产生的数十亿美元财务缺口。西屋电气已经申请破产保护。东芝公司希望在下周公布旗下最重要半导体业务的买家。目前，东芝与西部数据就芯片业务出售产生的争执似乎正在升级。

可以说，不管是高通、英特尔、联芯科技、苹果还是东芝等芯片巨头们，都在寻找芯片市场一杯羹，企业自主研发芯片也已经成为了一种趋势，展望2018年，WSTS预测全球半导体产值将续增2.7%、成为3,879亿美元。

文章来源：中国传动网

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