宝通力推英特尔D7-P5510，释放企业数据能力新选择

疫情的到来，给存储器行业摁下了“加速键”。办公、教学等领域的线上转型，以及AI、5G、物联网等新技术的发展，使得全球数据量出现“爆炸性增长”，存储器也成为2020年表现最好的领域。据Gartner统计数据显示，2020年全球存储器较2019年收入增加135亿美元，占2020年整个半导体市场收入增长的44%。存储器约占整个半导体行业产值的27%。据IDC预测，2025年全球数据将有 175 ZettaBytes的总量。如此惊人而又庞大的数据量，半导体存储器将具有极大的市场。

英特尔 3D NAND技术引领存储行业新未来

近年来，NAND Flash在发展过程中逐渐由平面结构升级为三维架构，通过工艺技术的提升，可以逐渐增加存储单元的层数，实现在单位面积下更高的存储容量。随着15/16nm部件的全面投产，推出了3D / V-NAND产品。在浮动门存储器技术领域不断推陈创新的英特尔采用了不同的布局理念，提供了更大的数据密度，全球首家推出采用144层存储单元QLC/TLC PCIe 3D NAND固态盘，再一次引领了存储器领域的发展未来。

与其他厂家不同的是，英特尔一直致力于通过最高面密度，为闪存的应用实现更好的经济效益。

一款SSD的可靠性、性能以及成本，很大一部分取决于后端NAND颗粒，另一部分取决于主控和固件的架构优化程度。得益于Intel NAND的多项先进技术，Intel SSD目前是市场上可靠性最佳的产品，在各大互联网数据中心里部署占比也是最高的。

相比较传统栅极技术达到128-层TLC，英特尔通过浮动栅极技术实现144-层TLC，加上阵列下CMOS实现最高面密度，通过更小的FG单元和更高效的阵列的技术搭配，实现面密度提高10%，同时每个晶圆可以承载更高的GB，做到容量扩大和制造效率的提高。英特尔正是凭借QLC/TLC 3D NAND在行业占据了领先地位。

D7-P5510：释放数据能力的新选择

作为全球首款144层TLC NAND设计的英特尔固态盘D7-P5510，为企业和云环境带来了低延迟、增强的管理能力、可扩展性和关键的全新NVMe功能。D7-P5510在设备健康状况监控方面进行了较大改善，为多租户和虚拟化环境提供了更大的灵活性，并且具备专为支持云工作负载而优化的新算法和功能。可作为云存储的大容量替代性产品，帮助加速各种云数据中心工作负载，满足日益增长的高强度I/O 工作负载需求。

D7-P5510在TLC闪存上启用了pTLC模式，从而确保更高写入耐久度和更快写入速度的需求。与上一代英特尔固态硬盘相比，经过性能优化的D7-P5510带来了高达2倍的序列读取性能提升，降低50％的延迟，并在读写混合场景下的IOPS提升了50%。另外在耐久度，TRIM时间等规格上均有不同程度的提升。

同时，通过固态盘驱动控制器将写入均匀分布到盘上，可以避免一些单元受到反复冲击。D7-P5510提供了更大的 “表面积” 来分配写入，从而减少整体退化，从而进一步提升了耐久性和寿命。

除此之外，D7-P5510还特别进行了大量固件增强，从而大大提升提高IT效率和数据安全性。

扩展的LBA格式支持为托管软件提供了灵活性。

SGL技术通过消除主机数据对齐的需求来提高性能。

增强的SMART监控功能，增强设备检查功能包括SMART检查、易失性内存备份、NVM完整性、驱动器寿命等检查。

Telemetry实现了对大范围存储数据的访问，并支持加速的认证周期，从而提高IT效率。

支持 TCG Opal 2.0、可配置命名空间锁定、清洁和格式化NVM等额外的安全功能。

具有内置自检功能PLI保护方案可在系统突然断电时防止数据丢失。结合业内领先的端到端数据路径保护方案，可使部署到数据恢复中心更便捷高效。

依靠严苛的质量和极致的产品可靠性D7-P5510可以确保在温存储中大规模部署。对于适应场景来说，针对需要快速访问大型数据集的读取密集型工作负载进行了优化，更加适合云存储、AI、CDN、HCI、HPC等。此外，大规模整合存储空间，从而大幅降低TCO。在耐久性、性能、质量和可靠性、成熟度等多方面，D7-P5510表现出色不失为云存储以及企业数字化应用的最佳选择。

结语

英特尔持续在NAND上的投入和创新，使得英特尔的SSD将继续成为企业数据中心的首选。宝通集团作为英特尔中国区总代理，将利用自身丰富的产品资源及技术服务优势为广大企业用户提供更好的支持和基于英特尔SSD产品存储解决方案和优质售前售后服务支撑。