敏芯半导体｜专利战一触即发，如何才能成为明日新星？

今天，我们聚焦到半导体行业，聊聊半导体行业新星——武汉敏芯半导体股份有限公司。

• 公司简介

汉敏芯半导体股份有限公司（下文简称：敏芯半导体）于2017年成立于中国光谷，是一家从事半导体光电芯片研发、制造和销售的高新技术企业。产品涉及光通信、工业激光、传感和消费等领域。作为光通信领域国内首家独立的全系列光芯片供应商，公司主营业务为2.5G/10G/25G/50G全系列激光器和探测器光芯片及封装类产品。公司以“做好每一颗光芯片，让世界爱上中国芯”为使命，为全球光器件和光模块厂商提供优质全系列光通信用光芯片产品及技术服务。

其在2018年10月投产，产出首款2.5G激光器芯片；2019年9月，评选为2019年度武汉市东湖高新区上市后备“金种子”企业、光谷“瞪羚企业”称号并斩获2019光谷明日之星暨中国明日之星；2020年11月，入选毕马威中国第一届“芯科技”新锐企业50评选企业。

• 专利基本情况及核心技术介绍

公司自成立以来高度重视自主创新，用技术获胜，成为明日之星。

经检索，截至2021年7月2日，敏芯半导体共申请56件专利。2019年，敏芯半导体就申请了17件专利，2020年，专利申请量达到顶峰（28件），整体呈现上升的趋势。

从专利类型来看，发明专利最多，共申请46件，占比82.14%；实用新型专利为其次，共申请10件，占比17.86%；无外观设计专利的申请。

其中，处于有效状态的专利有44件，占比78.57%；处于审中状态的专利有12件，占比21.43%。

FTTH是其核心产品之一。

D10xx-x0-020-C0 系列是1270nm～1610nm 10Gbps单模边沿发射CWDM DFB激光器，可使用于10Gb/s传输速率。

该系列采用AlGaInAs多量子阱结构设计，及脊波导、短腔等工艺，具有低阈值、高带宽、宽温工作等特点。芯片正表面提供8位十进制数字编码用于追溯。所有出货的芯片均须符合100%的常温及高温测试规格。

• 关键特性

Ø 低阈值电流（<10mA，常温）

Ø 高输出光功率

Ø 工作温度支持-40°C～85°C

Ø 调制速率可达10Gbps

Ø 可靠性符合Telcordia GR-468

Ø RoHS compliant

Ø波长支持 CWDM4（1270nm～1330nm），PSM4（1295nm～1325nm），1270nm～1610nm

从专利申请层面分析，在敏芯半导体申请的所有专利中，其主要的技术分支为：H01S5【半导体激光器〔7〕】、H01L31【对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕】、H01L21【专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕】等。

• 重点专利解读

接下来，我们挑选在敏芯半导体申请的专利中，被引用数占前两位的专利进行分析。

“一种基于雪崩光电二极管APD的相干接收机（CN103929252A）”

该件专利由敏芯半导体于2014年4月25日申请，7月16日首次公开，2017年1月18日获得授权，目前处于有效状态。该件专利至今已被引用5次。

该发明属于光电通信器件技术领域，公开了一种基于雪崩光电二极管APD的相干接收机，包括：多模干涉耦合器MMI、可变光衰减器VOA以及雪崩光电二极管APD；光信号通过入射波导进入所述多模干涉耦合器MMI；所述多模干涉耦合器MMI的输出端与所述可变光衰减器VOA的输入端相连；所述可变光衰减器VOA的输出端与所述雪崩光电二极管APD的输入端相连。本发明提供的基于雪崩光电二极管APD的相干接收机，通过APD的内部增益，与本振光共同作用，实现信号放大，降低了系统对本地激光器的发射光功率的要求，使相干接收机具有高灵敏度,低功耗的特点。

“单片集成的窄线宽激光器及制作方法（CN110401105A）”

该件专利由敏芯半导体于2019年8月12日申请，同年11月1日首次公开，目前处于未授权状态。该件专利至今已被引用4次。

该发明公开了一种单片集成的窄线宽激光器及制作方法，其中窄线宽激光器包含DFB激光器和无源波导，两者之间设有空气隔离区。当在DFB激光器端加上正向电压后激射出来的一部分光通过空气隔离区进入无源波导层，通过增加有效腔长来增加光子的寿命。本发明还通过单片集成的方式并利用二次外延生长使得DFB激光器波导与无源区波导可以实现精密对准，不需要外部额外的透镜来进行耦合。