半导体业务再超英特尔，三星电子真的稳了吗？

图片来源@视觉中国

文 | 光锥智能，作者｜罗宁

三星电子之所以能够成功超越英特尔，离不开其消费电子领域的快速扩张和全球存储芯片市场的供货紧缺。

多年以来稳居半导体行业第一的老大哥英特尔终于落后了，上位者是韩国三星电子。

近几年在半导体领域，尽管英特尔略显疲态，但依然处于领头羊地位，而随着挑战者们越发强大，从台积电到三星，从苹果到AMD，诸多科技公司都开始进入英特尔腹地并发起挑战，让英特尔不得不开始变革。

但即便如此，在全球芯片短缺的2021年，三星电子的半导体收入在第二季度营收及营业利润双双超过英特尔。

让人好奇的是，为何三星电子能在这样的时间点击败行业老大哥？面对对手是否可以高枕无忧？对中国企业来说这一事件又意味着什么？

DRAM价格暴涨，三星加速超车

根据财报，三星电子第二季度半导体收入为22.74万亿韩元，相当于197亿美元，同比增近25%；营业利润约为60亿美元，同比增近28%，营业利润率为30.4%。

相比之下，第二季度英特尔销售收入为196亿美元，与去年同期持平，non-GAAP净利润为52亿美元，同比增长6%。英特尔净利润率为26.5%。

三星电子之所以能够成功超越英特尔，离不开其消费电子领域的快速扩张和全球存储芯片市场的供货紧缺。

伴随华为手机在海外市场的份额不断下降，三星、苹果迅速瓜分这一空缺，根据数据机构Canalys近期发布的数据，全球手机出货量排名前五名中：三星、小米、苹果、OPPO、vivo市场占比分别为19%、17%、14%、10%、10%，尤其值得关注的是增长幅度，三星相比上一季度增长15%、考虑到三星在中国市场份额已经下降到0.6%可以忽略不计，更能说明三星在全球的扩张之迅速。

得益于三星“产业垂直整合”模式的优势。手机市场规模的快速增长，不仅为三星手机的销售份额做出了巨大贡献，也进一步带动了三星在存储芯片、显示面板、相机传感器等方面的销售增长，而存储芯片这一领域的供不应求甚至直接帮助三星电子超过英特尔。

受到今年芯片短缺和智能手机市场发展迅猛的直接影响，全球存储芯片产能吃紧，DRAM、SSD（固态硬盘）、NAND等产品需求暴增，市场价格也因此上涨，服务于数据存储市场的NAND闪存芯片价格上涨了8.6%，DRAM更是涨了27%之多（Trendforce数据）。

这种情况，一方面是因为随着5G网络开始普及，智能手机迎来换机周期，对于存储芯片需求增大。另一方面也因为服务器、游戏主机等新产品带来的增量需求，以及物联网快速落地衍生出大量的终端需求，因此，作为存储芯片霸主的三星成为最大获益者。

三星长期以来持续在存储芯片领域投入资金技术，占据了全球DRAM领域42%的领域份额以及NAND闪存市场33.5%的市场份额，不但拥有市场主导权，还能借此降低自身消费电子产品研发成本，因此不难理解其销售额与利润为何双双超过英特尔。

不过，尽管如此，DRAM行业市场波动风险依然存在。2019年全球DRAM市场还整体表现不佳，同比2018下跌了37%之多，但仅仅两年时间便又迎来了一波供不应求的火爆场面，所以三星电子的优势地位非常容易受到市场影响，加之全球DRAM市场领域，作为三星竞争对手的SK海力士也有着较高的增长速度，市场份额为29.5%，销售额环比增长5.6%至52亿美元。

可以预见，未来依然会出现DRAM行情下跌的情况，因此三星电子能在冠军宝座上待多久，依然是一个问号。

与此同时，无论三星、台积电、英特尔，这些重磅选手依然在加紧布局芯片半导体的前沿阵地。

不能失守的前沿高地

三星有一个著名的“生鱼片理论”：

一条价格很贵的鱼，刚被捕到时，在高级餐厅可以卖到很昂贵；等到第二天，只能以一半价格，在二流餐馆出售；到了第三天，就只能卖到剩下四分之一的价格；之后，这条鱼便一点都不值钱了。

对于三星而言，能够主导行业发展的更先进制程芯片便是这条“鱼”。但在面对与台积电的竞争中，其压力并不小，并不能高枕无忧，甚至在某些关键节点上还要落后于老对手台积电以及英特尔。

例如在启动5nm的量产时间上，三星就比台积电落后数个月。为了获得由荷兰ASML生产的EUV极紫外光刻机来制造更先进制程芯片，三星集团实际控制人李在镕还在2020年秋季亲自前往荷兰进行谈判，但尽管如此，ASML光刻机超过7成由台积电独揽，尽管今年三星继续加大投入，但相比台积电也面临生产技术积累不足的现状。

这背后的原因在于，半导体代工领域三星相比台积电依然处于劣势。据统计，今年1-3月，台积电代工生产的全球份额为56% ，同比上升2%，相比两年前份额扩大了8%，相比之下，三星半导体代工份额则比两年前下降了1个百分点。

市场上，包括苹果、AMD在内的大客户几乎将全部产品委托台积电代工，而之前选择和三星合作的高通，则因为三星工艺制程不够成熟，在旗舰芯片高通骁龙888上出现“翻车”。

其实早在2015年，三星以14nmFinFET、台积电以16nmFinFET工艺同时代工苹果的A9处理器时，三星就表现出这种技术上的不成熟，当时台积电生产的A9处理器的功耗明显低于三星生产的版本，之后苹果就坚持采用台积电代工的A系列芯片。而到今年，手机市场上几乎所有搭载该芯片的智能手机均出现发热过大情况，可见三星在先进制程方面的技术积累不足。

即便在和英特尔的芯片技术对比之下，三星也未必能保持优势。尽管英特尔曾在芯片领域没能及时跟进到7nm和5nm制程导致落后于竞争对手，但其在产品技术指标上依然具有一定优势，将目前英特尔、台积电和三星三家的技术指标进行对比：

10nm时代，英特尔做到了1.06亿/mm²的密度，是台积电和三星的双倍；

7nm时代，英特尔预估可以做到1.8亿/mm²，台积电9700万/mm²、三星9500万/mm²；

5nm时代，英特尔预估可以做到3亿/mm²，台积电1.73亿/mm²，三星1.27亿/mm²；

可以看出，英特尔、台积电在5nm和7nm工艺技术指标上都要强于三星电子，这是三星的弱势之一，而从时间表上看，三星也存在被对手赶超的风险。三星官方表示其3nm将在2024年左右量产，但英特尔将在2024年和2025年分别达到2nm和1.8nm水平，而3nm和2nm工艺差了一代。台积电有望在2024年下半年进入2nm量产阶段，从技术前进脚步来看，三星要抢先抓住先进制程这条“大鱼”，目前仍然有不小压力。

启示录：垂直整合与逆周期投资

对于中国芯片半导体行业来说，三星电子尽管有其自身发展的特殊性（韩国举国之力支持的科技企业），但其教科书式的“产业垂直整合”与“逆周期投资”直到今天仍对行业具有重要启示意义。

以智能手机为例，三星集团不但拥有全球DRAM领域42%的市场份额、NAND闪存领域33.5%的市场份额，在手机OLED屏幕上还占据了高达90.2％的市场份额，甚至苹果在iPhone上采用的屏幕和NAND存储芯片上都要采购三星大量零部件。

这不仅意味着三星能在智能手机的生产中极大节省成本，也能通过市场话语权影响到竞争对手的产品定价，这种强大市场影响力决定了其强大的议价能力，而这也成为三星手机能够在高端市场投入研发与苹果、华为等持续竞争的重要原因。

逆周期投资则是三星制霸全球DRAM市场的杀手锏。所谓逆周期投资，就是三星在20世纪80年代，全球DRAM市场最低迷、价格下滑最严重的时刻，通过扩大产能，加大研发投入，吸引其他国家优秀人才进入，生产出更低价更大容量产品的方式与对手展开竞争，并在政府扶持以及亏本经营情况下迅速占领市场。三星在20世纪80、90以及2008年金融爆发时三次采用逆周期投资的方式，最终成功在全球DRAM市场拿到话语权。

三星电子能够取得今天的成就，源于其对半导体行业的深刻理解。说回国内，华为、比亚迪等行业龙头之所以能够在市场中杀出重围，也是垂直整合的必然结果，通过垂直整合拥有议价权，这是很多科技企业能够不断向上的根本原因。

逆周期投资模式同样具有重要意义。IC Insights数据显示，2021年芯片半导体增长最快的产品领域就是存储，其中DRAM部分预计销售额将增长18%。如今国内存储芯片领域的合肥长鑫、长江存储等玩家，也正是通过逆向投资取得进展。

例如，长鑫存储在2019年第三季度成功量产19nm节点的DDR4/LPDDR4X芯片，彼时全球DRAM正处于下降期。而今年预计长鑫存储将推出17nm DDR5/LPDDR5等产品。2020年第一季度其投片量还只有1万片/月，到第四季度已提升到4.5万片/月，正因为在DRAM领域逆周期投资，长鑫存储的产能预计在2021年第四季度将达到8.5万片/月。

业内人士分析，随着中国在半导体领域的基本完善，中国开始具备产业链、人才储备、政府扶持的客观条件，因此包括中芯国际、长鑫存储等企业才能通过逆周期投资的方式迅速壮大势力，可以预见，这一模式对国内半导体行业的快速发展会起到重要作用。（本文首发钛媒体APP）

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